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SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING BURIED CHANNEL ARRAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

机译:具有隐蔽通道阵列的半导体装置及其制造方法

摘要

A semiconductor device and a method of fabricating a semiconductor device, the device including an active region on a substrate, the active region being defined by a field region; gate trenches in the active region of the substrate; gate structures respectively formed in the gate trenches; and at least one carrier barrier layer in the substrate and under the gate trenches.
机译:一种半导体器件及其制造方法,该器件包括在衬底上的有源区,该有源区由场区限定。衬底有源区中的栅沟槽;分别形成在栅极沟槽中的栅极结构;基板中和栅极沟槽下方的至少一个载流子阻挡层。

著录项

  • 公开/公告号US2015021684A1

    专利类型

  • 公开/公告日2015-01-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.;

    申请/专利号US201414254576

  • 发明设计人 DONG-JIN LEE;JUN-HEE LIM;KYUNG-EUN KIM;

    申请日2014-04-16

  • 分类号H01L29/78;H01L29/66;H01L29/423;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 15:23:34

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