公开/公告号CN103003928A
专利类型发明专利
公开/公告日2013-03-27
原文格式PDF
申请/专利权人 松下电器产业株式会社;
申请/专利号CN201180004127.5
申请日2011-06-02
分类号H01L21/336;H01L21/20;H01L29/786;
代理机构北京市中咨律师事务所;
代理人徐健
地址 日本大阪府
入库时间 2024-02-19 19:11:24
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-01-14
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20130327 申请日:20110602
发明专利申请公布后的视为撤回
2013-03-27
公开
公开
机译: 薄膜半导体装置的制造方法,薄膜半导体阵列基板的制造方法,结晶硅薄膜的形成方法以及结晶硅薄膜的形成装置
机译: 薄膜半导体装置的结晶硅薄膜的制造方法,薄膜半导体阵列基板的制造方法,以及结晶硅薄膜的形成方法
机译: 薄膜半导体器件的制造方法,薄膜半导体阵列基板的制造方法,晶体硅薄膜的形成方法以及晶体硅薄膜的形成装置