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FAN-OUT WAFER LEVEL PACKAGING STRUCTURE

机译:扇形晶圆水平包装结构

摘要

A semiconductor device includes a first die including a first pad and a first passivation layer, a second die including a second pad and a second passivation layer, and an encapsulant surrounding the first die and the second die. Surfaces of the first die are not coplanar with corresponding surfaces of the second die. A dielectric layer covers at least portions of the first passivation layer and the second passivation layer, and further covers the encapsulant between the first die and the second die. The encapsulant has a first surface. The dielectric layer has a second surface adjacent to the first passivation layer, the second passivation layer and the encapsulant, and further has a third surface opposite the second surface. The semiconductor device further includes a redistribution layer electrically connected to the first pad and the second pad and disposed above the third surface of the dielectric layer.
机译:半导体器件包括:第一管芯,其包括第一焊盘和第一钝化层;第二管芯,其包括第二焊盘和第二钝化层;以及包围第一管芯和第二管芯的密封剂。第一管芯的表面与第二管芯的对应表面不共面。介电层覆盖第一钝化层和第二钝化层的至少一部分,并且进一步覆盖第一管芯和第二管芯之间的密封剂。密封剂具有第一表面。介电层具有与第一钝化层,第二钝化层和密封剂相邻的第二表面,并且还具有与第二表面相对的第三表面。半导体器件还包括电连接到第一焊盘和第二焊盘并设置在介电层的第三表面上方的重分布层。

著录项

  • 公开/公告号US2017025322A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-01-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING INC.;

    申请/专利号US201615287506

  • 发明设计人 CHUNG-HSUAN TSAI;CHUEHAN HSIEH;

    申请日2016-10-06

  • 分类号H01L23/31;H01L23;H01L23/495;H01L25/065;

  • 国家 US

  • 入库时间 2022-08-21 13:47:35

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