退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
机译:非对称多晶硅栅极,可在沟槽式功率MOSFET中实现最佳端接设计
公开/公告号US9627526B2
专利类型
公开/公告日2017-04-18
原文格式PDF
申请/专利权人 YEEHENG LEE;YONGPING DING;XIAOBIN WANG;
申请/专利号US201414224043
发明设计人 YEEHENG LEE;YONGPING DING;XIAOBIN WANG;
申请日2014-03-24
分类号H01L27/088;H01L29/78;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:45:16
机译: 沟槽功率MOSFET的最佳端接设计的不对称多晶闸极
机译: 沟槽功率MOSFET最优端接设计的不对称多晶栅极形成方法