用于在沟槽功率MOSFET中优化端接设计的不对称多晶硅栅极的制备方法

摘要

本发明公开了一种具有多个晶体管的半导体器件，包括一个端接区，带有不对称栅极的晶体管。该半导体器件包括具有多个有源晶体管的有源区，其中每个有源晶体管都含有源极、漏极和栅极区。源极和栅极区相互分离，并且相互绝缘。端接区包围着有源区。端接区包括多个分离的端接沟槽、每个沟槽都用导电材料和绝缘材料填充。电绝缘材料沉积在导电材料和衬底导电材料之间。多个端接沟槽中的其中之一沉积在有源区和多个端接沟槽的其余沟槽之间，栅极区就形成在端接沟槽中，与屏蔽栅极区重叠并间隔开，从而使栅极多晶硅的剖面面积小于晶体管中作为不对称设计的栅极区的剖面面积。