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机译:沟槽功率MOSFET的最佳端接设计的不对称多晶闸极
公开/公告号US2017069750A9
专利类型
公开/公告日2017-03-09
原文格式PDF
申请/专利权人 YEEHENG LEE;YONGPING DING;XIAOBIN WANG;
申请/专利号US201414224043
发明设计人 YEEHENG LEE;YONGPING DING;XIAOBIN WANG;
申请日2014-03-24
分类号H01L29/78;H01L27/088;
国家 US
入库时间 2022-08-21 13:46:18
机译: 非对称多晶硅栅极,可在沟槽式功率MOSFET中实现最佳端接设计
机译: 沟槽功率MOSFET的最佳端接设计的不对称多晶闸极
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