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QFN QFN QFN semiconductor package method of fabricating the same and mask sheet for manufacturing the same

机译:QFN QFN QFN半导体封装的制造方法以及用于制造该掩模的掩模片

摘要

The present invention relates to a QFN semiconductor package, a manufacturing method thereof, and a mask sheet for manufacturing the QFN semiconductor package, which can achieve excellent die bonding and wire bonding, effectively suppress leakage of a sealing resin, and increase the reliability of the QFN semiconductor package, and increase productivity and efficiency in a manufacturing process. The QFN semiconductor package is manufactured by forming contact depth in an adhesive layer of the mask sheet through a lamination process of imprinting a lead frame on the mask sheet.
机译:QFN半导体封装,其制造方法以及用于制造QFN半导体封装的掩模片,其可以实现优异的芯片键合和引线键合,有效地抑制密封树脂的泄漏,并提高其可靠性。 QFN半导体封装,并在制造过程中提高生产率和效率。通过将引线框架压印在掩模片上的层压工艺在掩模片的粘合层中形成接触深度来制造QFN半导体封装。

著录项

  • 公开/公告号KR101763852B1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-08-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 IHN LABORATORIES INC.;

    申请/专利号KR20170030580

  • 申请日2017-03-10

  • 分类号H01L23/495;H01L21/02;H01L21/324;H01L21/56;H01L23/28;

  • 国家 KR

  • 入库时间 2022-08-21 13:25:07

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