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晶圆级电迁移性能测试的改善方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级电迁移性能测试的改善方法,以解决原先因机台测试程式不合理而造成的设备硬件损伤及晶片状态下器件的烧损。做法是:使用机台型号为“Agilent 4070”的测试系统,并使用量测探针两端分别相连于电流电压源及待测对象的端口,对其输入电流及负载端电压进行量测,得出在晶片状态下器件的电迁移性能,其特征在于:在所述机台的测试程式中增加限压设定及限流设定,使电流输入端的量测探针电压限定在电压量测端电流电压源的量测范围之内;并且增加一控制命令,用于在判断功率超过额定值时退出测试。应用本发明的改善方案,有效杜绝了量测探针针尖发生的熔融、烧焦、结铝现象,同时减轻了机台硬件损伤对晶片状器件所造成的损伤。

著录项

  • 公开/公告号CN101562145B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 和舰科技(苏州)有限公司;

    申请/专利号CN200810023822.6

  • 发明设计人 彭昶;

    申请日2008-04-16

  • 分类号

  • 代理机构南京苏科专利代理有限责任公司;

  • 代理人陈忠辉

  • 地址 215025 江苏省苏州市工业园区星华街333号

  • 入库时间 2022-08-23 09:10:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-31

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/66 授权公告日:20120530 终止日期:20160416 申请日:20080416

    专利权的终止

  • 2012-05-30

    授权

    授权

  • 2009-12-16

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-10-21

    公开

    公开

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