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自加热电迁移测试结构以及晶圆级自加热电迁移测试方法

摘要

本发明提供了一种自加热电迁移测试结构以及晶圆级自加热电迁移测试方法。本发明的晶圆级自加热电迁移测试结构包括:目标金属线、分别与目标金属线两端连接的第一焊盘和第二焊盘、分别布置在第一焊盘和第二焊盘正下方的第三焊盘和第四焊盘、以及将第三焊盘和第四焊盘连接起来的与目标金属线最接近的冗余金属线。

著录项

  • 公开/公告号CN106158830B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;

    申请/专利号CN201610608746.X

  • 发明设计人 蔡恩静;高金德;

    申请日2016-07-29

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人智云

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

  • 入库时间 2022-08-23 10:24:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-01-18

    授权

    授权

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L23/544 申请日:20160729

    实质审查的生效

  • 2016-12-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20160729

    实质审查的生效

  • 2016-11-23

    公开

    公开

  • 2016-11-23

    公开

    公开

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