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一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法

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本发明公开了一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法，该方法包括以下步骤：步骤一，将高阻SOI衬底进行预处理，然后装入薄膜沉积腔内；步骤二，在高阻SOI衬底的上表面原位生长厚度不大于1nm的Al

著录项

公开/公告号CN101924030B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-06-27

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201010231639.2
发明设计人程新红;何大伟;王中健;徐大伟;宋朝瑞;俞跃辉;
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申请日2010-07-20
分类号
代理机构上海光华专利事务所;
代理人王松
地址 200050 上海市长宁区长宁路865号
入库时间 2022-08-23 09:10:11

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-07-09

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/283 授权公告日:20120627 终止日期:20180720 申请日:20100720

专利权的终止
2012-06-27

授权

授权
2012-06-27

授权

授权
2011-02-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/283 申请日:20100720

实质审查的生效
2011-02-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/283 申请日:20100720

实质审查的生效
2010-12-22

公开

公开
2010-12-22

公开

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1. 一种改善高阻SOI衬底上高介电常数栅介质性能的方法 [P] . 中国专利： CN101924030B . 2012.06.27
2. 基于SOI衬底的La基高介电常数栅介质结构及其制作方法 [P] . 中国专利： CN106505098A . 2017-03-15
3. A method for the production of a gate - dielectric with variable dielectric constant [P] . 德国专利： DE60211396T2 . 2007-05-03

机译：一种制备介电常数可变的栅介质的方法。
4. composition for cleaning or rinsing in hard surface aqueous or hydroalcoholic medium, using at least one polybetaine and processes for improving the properties of compositions comprising at least one surfactant for cleaning or rinsing in aqueous surface or hydroalcoholic medium and hard process for easy cleaning or rinsing of hard surfaces [P] . BR0318128B1 . 2013-08-27

机译：使用至少一种聚甜菜碱在硬表面水或水醇介质中清洁或漂洗的组合物，以及用于改善包含至少一种在水表面或水醇介质中清洁或漂洗的表面活性剂的组合物的性能的方法，以及用于容易清洗或漂洗的硬方法坚硬的表面
5. Composition for cleaning or rinsing in hard surface aqueous or hydroalcoholic medium, use of at least one polybetaine and processes for improving the properties of compositions comprising at least one surfactant for cleaning or rinsing in surface aqueous or hydroalcoholic medium and process to facilitate cleaning or rinsing hard surfaces [P] . BR0318128A . 2006-02-07

机译：用于在硬表面水或水醇介质中清洗或漂洗的组合物，至少一种聚甜菜碱的用途和用于改善包含至少一种用于在表面水或水醇介质中清洗或漂洗的表面活性剂的组合物的性能的方法和促进硬水清洗或漂洗的方法表面