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谭卫东; 马利行; 骆红; 唐有青; 张文清;
中国电子学会;
外延生长; 高阻厚层; 自掺杂; 低阻P型衬底;
机译:硅掺杂的p型和n型Al_xGa_(1-x)As外延层,用于(311)A图案化衬底上的高密度横向结LED阵列
机译:通过气相生长n型衬底上p型材料厚层的溶液生长在GaP中形成的高效红色发射p-n结
机译:通过热壁CVD在轴上和轴上衬底上生长的4H-SiC厚n型和p型外延层的特性
机译:P型和N型低聚噻吩基半导体作为有机场效应晶体管中的有源层。
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:薄膜太阳能电池Si(111)衬底上掺硼p型BaSi2外延膜的分子束外延
机译:CVD siC外延层中n型和p型掺杂剂控制的场地竞争外延
机译:用于数字照相机的互补金属氧化物半导体图像传感器,采用选择性外延生长工艺,在P型衬底的N型杂质离子区域上具有硅外延层
机译:砷化镓单晶晶片具有形成为衬底的表面,用于通过使用硅作为两性掺杂剂的液相外延生长n型层和p型层
机译:halfgeleiderschakeling与至少两个晶体管相结合,这些晶体管在一个普通的eilanddeel衬底上的外延层上具有独立的基本区域,因此,晶体管本身通过eilanddeel外延层低的隔离而连接在一起。
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