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机译:硅掺杂的p型和n型Al_xGa_(1-x)As外延层,用于(311)A图案化衬底上的高密度横向结LED阵列
ATR, Adaptive Communications Research Laboratories, 2-2-2 Hikaridai, Keihanna Science City, Kyoto 619-0288, Japan;
Si-doping; MBE; (3 1 1)A patterned substrate; LED arrays; Ⅰ-Ⅴ; E-L;
机译:硅掺杂的p型和n型Al_xGa_(1-x)As外延层,用于(311)A图案化衬底上的高密度横向结LED阵列
机译:低缺陷密度块状AlN衬底上用于UV LED应用的厚n型Al_xGa_(1-x)N层的拟晶生长
机译:使用Al_xGa_(1-x)N / GaN超晶格底层降低(001)GaAs衬底上立方GaN外延层中的点缺陷密度
机译:硅掺杂的p型和n型Al / sub x / Ga / sub 1-x / As外延层,用于(311)A图案化衬底上的高密度横向结LED阵列
机译:P型和N型硅半导体电极上的界面光处理(还原,半导体稳定化,光化学,二氧化碳,掺杂)
机译:在n型GaAs(111)B衬底上生长的p掺杂GaAs纳米线阵列的光伏性能
机译:采用高掺杂衬底的siC升华外延中的p型和n型掺杂
机译:通过弛豫渐变Gexsi(1-x)缓冲层在Ge / Gesi / si衬底上直接单片集成alxGa(1-x)as / InxGa(1-x)as LED和激光器的策略。