首页> 中国专利> 一种具低阻的P型GaN外延层制备方法

一种具低阻的P型GaN外延层制备方法

页面导航

摘要

本发明提供了一种具低阻的P型GaN外延层制备方法，包括如下步骤：在氢气气氛下高温处理衬底；在处理的衬底表面依次生长缓冲层、非掺的GaN层、n型GaN层、多量子阱有源区层和电子阻挡层；在电子阻挡层上生长P型GaN层；在P型GaN层上生长P型接触层；在处理衬底之前往反应室中预通Cp

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-05-22

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L33/14 授权公告日:20180501 终止日期:20190528 申请日:20150528

专利权的终止
2018-05-01

授权

授权
2017-02-01

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/14 申请日:20150528

实质审查的生效
2017-01-04

公开

公开

1. 一种具低阻的P型GaN外延层制备方法 [P] . 中国专利： CN106299060B . 2018.05.01
2. 一种实现金属与P型GaN之间低阻欧姆接触的方法 [P] . 中国专利： CN110890274A . 2020-03-17
3. P-TYPE GaN HAVING HIGH ELECTRIC CONDUCTIVITY AND LOW OHMIC CONTACT RESISTANCE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME [P] . 韩国专利： KR100581770B1 . 2006-05-22

机译：具有高电导率和低欧姆接触电阻的p型GaN及其制备方法
4. P-TYPE GAN HAVING HIGH ELECTRIC CONDUCTIVITY AND LOW OHMIC CONTACT RESISTANCE AND METHOD FOR PREPARING THE SAME [P] . 韩国专利： KR20050064870A . 2005-06-29

机译：具有高电导率和低欧姆接触电阻的p型gan及其制备方法
5. Method for preparing low-resistant p-type srtio3 [P] . 美国专利： US2003172869A1 . 2003-09-18

机译：低阻p型srtio3的制备方法