改善栅氧化层整合性参数的方法

摘要

本发明提供了一种改善栅氧化层整合性参数的方法，包括制作半导体器件，在所述半导体器件表面生长氮氧化硅层和富硅氧化层，在所述富硅氧化层上生长介电层，在所述介电层上制作金属引线，本发明不仅能够保护器件不受后段制程的电离子损伤，还能使存储型器件与电容中的电荷被紫外光顺利擦除。