用于确定光刻掩模的可制造性的方法

摘要

本发明涉及用于确定光刻掩模的可制造性的方法。确定在制造半导体器件样品时所采用的光刻掩模的可制造性。从光刻掩模的掩模版图数据中选择多个目标边缘。掩模版图数据包括遍及多个基元而分布的多个多边形，其中每一个多边形具有多个边缘。基元包括中心基元、在中心基元上下的两个垂直基元以及在中心基元左右的两个水平基元。以减少在确定制造惩罚中的计算量的方式选择目标边缘对，用于确定形成光刻掩模时的制造惩罚。基于所选择的目标边缘对而确定光刻掩模的可制造性，包括形成光刻掩模时的制造惩罚。输出光刻掩模的可制造性。光刻掩模的可制造性依赖于形成光刻掩模时的制造惩罚。