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公开/公告号CN1897465B
专利类型发明专利
公开/公告日2012-06-13
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电子株式会社;
申请/专利号CN200610106392.5
发明设计人 林成相;
申请日2006-07-14
分类号
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人郭定辉
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:09:54
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-06-13
授权
2008-09-03
实质审查的生效
2007-01-17
公开
机译: 具有减小的通道电导变化的采样保持电路及其操作方法
机译: 互补MOSFET模拟开关,例如对于采样保持电路,在比较器的控制下,使用具有输入信号电平或地电位的并行p沟道晶体管
机译:差动MSM光电导开关式采样保持电路,可减少信号馈通
机译:1.2μmBiCMOS采样保持电路,具有恒定阻抗,压摆增强采样门
机译:具有体偏置控制电路的1 GHz,56.3 dB SFDR CMOS采样保持电路
机译:在16位100-MS / s A / D转换器中使用混合MOS晶体管沟道长度技术实现的采样保持电路
机译:低功耗,高速采样保持电路,用于直接采样数字辐射计。
机译:关于用于采样数据系统中的采样间输出重构的最优分数保持电路
机译:基于p沟道有机和n沟道金属氧化物晶体管的混合互补电路,具有高达10 cm(2)/ Vs的平衡载流子迁移率
机译:用于多个采样/第二集成电路的低于200皮秒的Gaas采样保持电路