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具有降低的沟道电导变化的采样和保持电路及其操作方法

摘要

一种诸如采样和保持电路之类的电子装置,包括:场效应晶体管(FET)、电容和电压偏置电路。FET配置来在其第一端接收信号并响应于在其栅极端的开关信号选择性地向其第二端提供信号。电容器电连接到FET的第二端。电压偏置电路电连接到FET的第一端和栅极端。电压偏置电路配置来保持FET的第一端和栅极端之间的基本上恒定的电压差,同时将信号提供到FET的第二端并实际上独立于输入信号的电压电平。还公开了相关的操作方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1897465B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-06-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200610106392.5

  • 发明设计人 林成相;

    申请日2006-07-14

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人郭定辉

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:54

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-06-13

    授权

    授权

  • 2008-09-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-01-17

    公开

    公开

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