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具有变化沟道区介面的非易失性存储器的操作方法

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本发明是有关于一种具有变化沟道区介面的非易失性存储器的操作方法，此变化沟道区介面例如是举升的源极与漏极或凹入沟道区。

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公开/公告号CN102097127A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-06-15

原文格式PDF
申请/专利权人旺宏电子股份有限公司;
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申请/专利号CN201010521342.X
发明设计人廖意瑛;
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申请日2007-07-10
分类号G11C16/04;G11C16/10;H01L29/792;H01L29/423;H01L29/51;H01L21/28;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人彭久云
地址中国台湾新竹科学工业园区
入库时间 2023-12-18 02:34:45

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-12-24

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G11C16/04 申请公布日:20110615 申请日:20070710

发明专利申请公布后的驳回
2011-08-10

实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/04 申请日:20070710

实质审查的生效
2011-06-15

公开

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相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 具有变化沟道区介面的非易失性存储器的操作方法 [P] . 中国专利： CN102097127A . 2011-06-15
2. 具有变化沟道区界面的非易失性存储器 [P] . 中国专利： CN101106138A . 2008-01-16
3. halfgeleiderinrichting, comprising a halfgeleiderlichaam with a toevoergebied and afvoergebied with the toevoergebied is connected with at least a kanaalgebied,bounded by a stuurgebied with the geleidingstype of supply, the drain and the kanaalgebied opposite geleidingstype. [P] . NL180266C . 1987-01-16

机译：半导体器件包括至少一个沟道区，该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接，该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区，该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体，该沟道区至少由沟道区连接。
4. halfgeleiderinrichting, comprising a halfgeleiderlichaam with a toevoergebied and afvoergebied with the toevoergebied is connected with at least a kanaalgebied,bounded by a stuurgebied with the geleidingstype of supply, the drain and the kanaalgebied opposite geleidingstype. [P] . NL180266B . 1986-08-18

机译：半导体器件包括至少一个沟道区，该沟道区由具有供应区和漏极区的沟道区连接，该控制区具有与供应区的导电类型相反的漏极区和沟道区，该半导体本体包括具有供应区和漏极区的半导体本体，该沟道区至少由沟道区连接。
5. Semiconducting structure for controling current has channel region with channel conduction region of first conductivity type and higher than basic doping level of channel region [P] . 德国专利： DE10145765A1 . 2003-04-10

机译：用于控制电流的半导体结构具有沟道区，该沟道区具有第一导电类型的沟道导电区并且高于沟道区的基本掺杂水平。