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减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法及相应焊盘形成方法

摘要

本发明揭露了一种减少芯片焊盘区晶格缺陷形成的方法及相应焊盘形成方法,其利用氩气等离子溅射去除导电层构图过程中于该导电层表面形成的一含氟薄层,从而避免了该含氟薄层中氟离子的逸出所致的晶格缺陷的形成,提高了焊盘的导电性与可靠性。

著录项

  • 公开/公告号CN101593711B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-05-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200810038383.6

  • 发明设计人 代大全;张校平;傅海林;吴齐;

    申请日2008-05-30

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市张江路18号

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-09

    授权

    授权

  • 2010-01-27

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-12-02

    公开

    公开

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