失配衬底上的单晶生长

摘要

本发明提供了一种将一种材料类型(如，III-V半导体)的单晶层形成到不同材料类型(如，硅)的衬底上的工艺。提供第一材料类型的衬底。将催化剂材料的至少一个不连续区域沉积到衬底上，所述不连续区域限定了衬底的晶种区域。将第二材料类型(如，III-V半导体)作为单晶纳米线在衬底与催化剂材料之间生长到衬底上，所述第二材料类型的纳米线从所述衬底开始向上延伸，其横向尺寸不超过晶种区域。在生长纳米线之后，改变生长条件以便使第二材料类型从单晶纳米线开始以平行于衬底表面的方向横向地外延生长。