绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长

摘要

本发明是一种半导体器件及集成电路制造中的化学气相硅淀积工艺，其目的在于实现“单晶硅/绝缘材料/单晶硅”的半导体材料结构。其特点是该结构外延一次完成，生长速率快，单晶厚度均匀，质量好，设备简单，操作方便，对绝缘衬底无气相腐蚀，便于生产应用。