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杨俊; 段满龙; 卢伟; 刘刚; 高永亮; 董志远; 王俊; 杨凤云; 王凤华; 刘京明; 谢辉; 王应利; 卢超; 赵有文;
中国科学院半导体研究所;
中国科学院半导体材料科学重点实验室;
低维半导体材料与器件北京市重点实验室;
北京100083;
中国科学院大学材料科学与光电技术学院;
北京100049;
锑化镓(Ga; Sb); 液封直拉法(LEC); 单晶; 衬底;
机译:通过两步外延横向过度生长制备低位错密度的单晶金刚石
机译:由czochralski生长的SrLaGaO_4和SrLaAlO_4单晶制备的高质量(100)和(001)取向衬底
机译:低位错密度高压高温生长单晶金刚石中位错的同步X射线形貌
机译:周期性开槽衬底上生长的低位错密度AlGaN单晶的生长机理和表征
机译:在非晶衬底和用于3D集成电路的高性能亚100 nm薄膜晶体管上的纳米图形引导的单晶硅生长。
机译:4H-SiC 100 mm PVT生长过程中基面位错密度和热机械应力分析
机译:通过两步横向过生长外延制备低位错密度单晶金刚石
机译:通过横向外延过度生长在Ge涂层si衬底上生长的低位错密度Gaas外延层。
机译:超低位错密度III组-通过纳米或微米颗粒薄膜生长的氮化物半导体衬底
机译:低位错密度的外延生长氮化物基化合物半导体晶体衬底结构
机译:具有低位错密度区域的氮化物单晶的生长方法和氮化物发光器件的制造方法
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