倒装芯片锡银凸块结构及其制造方法

摘要

本发明提供了一种倒装芯片锡银凸块结构及其制造方法，通过分阶段的采用不同电流密度来电镀锡银凸块，控制了不同阶段电镀的锡银凸块的不同金属质量比，使锡银凸块结构中底端部分的银含量较高，锡的含量较低，而锡银凸块结构中上端部分的银含量则较低，确保了锡银凸块不会产生锡须和银针，从而可有效防止芯片的凸块间的短路。同时也防止了锡扩散到凸点下金属层UBM中形成锡铜络合物，从总体上提高了器件的可靠性。