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公开/公告号CN101555139B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-09-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国人民解放军国防科学技术大学;
申请/专利号CN200910043471.X
发明设计人 周新贵;张长瑞;吴宜灿;王军;黄群英;曹英斌;刘荣军;王洪磊;于海蛟;赵爽;罗征;黄泽兰;
申请日2009-05-20
分类号
代理机构湖南兆弘专利事务所;
代理人陈晖
地址 410073 湖南省长沙市砚瓦池正街47号中国人民解放军国防科学技术大学机电工程与自动化学院自动化研究所
入库时间 2022-08-23 09:08:08
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-21
授权
2009-12-09
实质审查的生效
2009-10-14
公开
机译: SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
机译: 用化学气相沉积法制备可替代碳的高掺杂晶体硅层的方法
机译:利用碳化物衍生的碳工艺和随后的化学气相沉积法在6H-SiC晶片上制备双层碳膜并进行表征☆
机译:微波等离子体化学气相沉积的SiC在SiC上的合成:硅 - 脸和碳面的比较
机译:用于通过化学气相反应和化学气相沉积制备的碳/碳复合材料的抗氧化保护的双层纳米结构SiC涂层
机译:烷基硅烷和烷基硅烷硅烷单源的远程氢等离子体化学气相沉积:加工硅 - 碳沉积物的工艺和性能机理及性能
机译:通过超快纳秒脉冲激光加工和电子场发射和电殖分析应用的化学气相沉积制备金刚石和Q-碳
机译:化学气相沉积(CVD)中C面SiC和蓝宝石上的石墨碳外延生长
机译:使用碳化物衍生的碳工艺并随后进行化学气相沉积,在6H-SiC晶片上制备双层碳膜并进行表征
机译:化学气相沉积和等离子体辅助化学气相沉积技术制备碳 - 碳复合材料氧化保护体系的研究。