公开/公告号CN101864592B
专利类型发明专利
公开/公告日2011-08-31
原文格式PDF
申请/专利权人 南京大学;
申请/专利号CN201010172495.8
申请日2010-05-14
分类号G11C11/22(20060101);C30B23/02(20060101);C30B29/30(20060101);C30B33/02(20060101);
代理机构32112 南京天翼专利代理有限责任公司;
代理人陈建和
地址 210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号
入库时间 2022-08-23 09:07:28
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-07-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G11C 11/22 授权公告日:20110831 终止日期:20130514 申请日:20100514
专利权的终止
2011-08-31
授权
授权
2010-12-01
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 23/02 申请日:20100514
实质审查的生效
2010-10-20
公开
公开
机译: 制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
机译: -金属-石墨烯异质结金属互连其形成方法和包括该金属-石墨烯异质结金属的半导体器件
机译: 用相同的方法制造异质结金属纳米线和异质结金属纳米线的方法