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大马士革互连工艺中的铜金属填充方法

摘要

本发明公开了一种大马士革互连工艺中铜金属填充方法,属于集成电路制造领域。所述方法包括:首先对欲填充的孔隙依次进行n次铜电镀步骤和铜重溅射步骤;每次铜电镀和铜重溅射步骤之间进行去气;最后进行一次最终铜电镀;所述n=Int[(R-2)/2];其中R为欲填充的孔隙深/宽比;所述Int函数的定义为:将任意实数向上取整为最接近的整数。本发明的铜金属填充方法中的铜重溅射步骤将上一电镀步骤后堆积在欲填充孔隙顶部拐角处的铜金属通过轰击进行剥离,消除了孔洞形成的成因。特别是针对45纳米以下技术节点、接触孔实际宽度<70纳米、孔隙深宽比大于2∶1的孔隙,可以保证孔隙的无孔洞填充。

著录项

  • 公开/公告号CN101651117B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-06-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200810118423.8

  • 发明设计人 杨柏;

    申请日2008-08-14

  • 分类号H01L21/768(20060101);

  • 代理机构11302 北京市德权律师事务所;

  • 代理人王建国

  • 地址 100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5楼

  • 入库时间 2022-08-23 09:06:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-08-24

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/768 变更前: 变更后: 申请日:20080814

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2011-06-15

    授权

    授权

  • 2011-06-15

    授权

    授权

  • 2010-04-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20080814

    实质审查的生效

  • 2010-04-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20080814

    实质审查的生效

  • 2010-02-17

    公开

    公开

  • 2010-02-17

    公开

    公开

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