氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件

摘要

本发明提供了一种作为栅极绝缘膜的高性能氧化硅膜并且提供一种具有半导体器件，所述的氧化硅膜和半导体器件具有优良的电特性。根据本发明的氧化硅膜在膜中包含CO₂，其中，当红外吸收光谱中的峰的积分强度由(半高峰宽)×(峰高)表示时，相对于在波数1,060cm^-1附近出现的SiO₂-特征峰的积分强度，在波数2,340cm^-1附近出现的CO₂-特征峰的积分强度是8E-4倍以上。