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机译:具有高k栅极绝缘膜器件特性并抑制变化的Underlap单栅极超薄SOI MOSFET
極薄SOI; 真性動作速度; underlap構造; GIDL電流; high-k材料; Ultrathin SOI; Intrinsic delay time; Underlap structure; GIDL current; High-k gate dielectric;
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机译:抑制具有高k栅极绝缘膜的下划艇单栅超薄SOI MOSFET的装置特性和变化
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