包括钌电极的半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及一种包含钌电极的半导体器件及其制造方法，一种半导体器件包括：半导体衬底；半导体衬底上的绝缘图案；绝缘图案上的蚀刻停止层，绝缘图案与蚀刻停止层限定的暴露所述衬底的接触孔；填充接触孔的一部分的第一塞；在第一塞上方以及接触孔的其余部分的底部和侧壁上形成的扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成并填充接触孔的第二塞；和连接第二塞并形成在其上的存储节点。