一种硅基图形衬底上生长外延层的方法

摘要

一种硅基图形衬底上生长外延层的方法，包括如下步骤：提供硅衬底；在硅衬底表面生长第一外延层；在第一外延层远离硅衬底的表面生长第一介质层；将第一介质层的一部分腐蚀除去；刻蚀第一外延层，至露出硅衬底后停止；在硅衬底上形成凹陷结构；在硅衬底的凹陷结构的底部和侧面制备第二介质层；腐蚀第一介质层；采用外延方法生长连续的第二外延层。本发明的优点在于：可以解决硅衬底上生长外延层容易龟裂的问题；可以降低外延生长中的位错密度和缺陷密度，提高晶体质量；可以解决硅容易向外扩散的问题；工艺可重复性好。