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特别是用于光学、电子或光电子领域的基片的制造方法和根据所述方法获得的基片

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摘要

本发明涉及特别是用于光学、电子或光电子领域的基片的制造方法，和根据所述方法形成的基片。本发明的方法至少包括下列阶段：将种子层(5)转移到接收支持体(3)上，和可用层(6)外延生长到所述种子层(5)上，其特征在于，所述接收支持体(3)的热膨胀系数等于或稍微大于所述可用层(6)的热膨胀系数，以及所述种子层(5)的热膨胀系数约等于所述接收支持体(3)的热膨胀系数。

著录项

  • 公开/公告号CN101341580B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-09-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 硅绝缘体技术有限公司;

    申请/专利号CN200680047849.8

  • 发明设计人 艾丽丝·布萨戈尔;布鲁斯·富尔;布鲁诺·吉瑟兰;

    申请日2006-12-21

  • 分类号H01L21/20(20060101);C30B33/00(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人丁香兰;李建忠

  • 地址 法国伯涅尼

  • 入库时间 2022-08-23 09:05:03

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-09-10

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/20 变更前: 变更后: 申请日:20061221

    专利权人的姓名或者名称、地址的变更

  • 2010-09-01

    授权

    授权

  • 2009-02-25

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-01-07

    公开

    公开

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