合成多晶硅原料三氯氢硅的方法

摘要

本发明公开了一种合成多晶硅原料三氯氢硅的方法，该方法包括以下步骤：A)硅粉用干燥的氯化氢气体输送到三氯氢硅合成炉；B)反应的氯化氢按比例从三氯氢硅合成炉底部输入合成炉内，合成炉中同时加入适量氢气和四氯化硅；C)温度控制在280～310℃，硅粉和氯化氢发生反应，生成包括有三氯氢硅和四氯化硅的混合气体；D)除去粉尘及高氯硅烷的混合气体，经水冷和隔膜压缩机加压后，再用-40℃冷媒将三氯氢硅和四氯化硅冷凝为液体，其中，分离出包含H₂、HCl的不凝气体。该方法可将三氯氢硅收率从82％提高88％以上。