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单阴极等离子沉积非晶、纳米晶层的方法

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本发明提供了一种单阴极等离子沉积非晶、纳米晶层的方法，适用于在单晶硅或SiO

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公开/公告号CN101008077B

专利类型发明专利
公开/公告日2010-07-21

原文格式PDF
申请/专利权人南京航空航天大学;
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申请/专利号CN200710019824.3
发明设计人徐江;徐重;陶杰;张平则;刘子利;缪强;陈哲源;朱文慧;骆心怡;
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申请日2007-01-30
分类号
代理机构南京苏高专利商标事务所(普通合伙);
代理人阙如生
地址 210016 江苏省南京市御道街29号
入库时间 2022-08-23 09:04:48

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-03-27

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/34 授权公告日:20100721 终止日期:20120130 申请日:20070130

专利权的终止
2010-07-21

授权

授权
2007-09-26

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-08-01

公开

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