法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-04-22
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2001-03-21
授权
授权
1996-03-06
公开
公开
机译: 高纯镧的生产方式,由高纯镧和高纯镧组成的溅射靶以及以高纯镧为主要成分的金属栅膜
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法
机译: 高纯锆或HA,溅射由高纯锆或AND和使用该靶制成的薄膜的靶,以及高纯锆或HA的生产方法以及高纯锆或HA的粉体的制备方法