法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-09-18
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G03F 7/16 授权公告日:20100526 终止日期:20120730 申请日:20040730
专利权的终止
2010-05-26
授权
授权
2005-04-20
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-02-16
公开
公开
机译: 用于EUV光刻的掩模坯料的衬底的制造方法,具有用于EUV光刻的多层反射膜的衬底的制造方法,用于EUV光刻的掩模坯的制造方法以及用于EUV光刻的转移掩模的制造方法
机译: 具有多层反射膜的基板,用于EUV光刻的反射掩模坯,用于EUV光刻的反射掩模及其制造方法以及制造半导体器件的方法
机译: 具有多层反射膜的基板,用于EUV光刻的反射掩模坯,用于EUV光刻的反射掩模及其制造方法以及制造半导体器件的方法