公开/公告号CN1610138B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-05-12
原文格式PDF
申请/专利权人 松下电器产业株式会社;
申请/专利号CN200410086095.X
申请日2004-10-20
分类号H01L33/00(20060101);H01L21/20(20060101);H01S5/00(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人陈建全
地址 日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:04:25
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-12-10
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 授权公告日:20100512 终止日期:20131020 申请日:20041020
专利权的终止
2010-05-12
授权
授权
2006-10-18
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-04-27
公开
公开
机译: 制造该方法获得的III族元素氮化物晶体基质和III族元素氮化物半导体器件以及III族元素氮化物晶体基质和III族元素氮化物半导体器件的方法
机译: 制备III族元素氮化物晶体,III族元素氮化物晶体,半导体器件的方法,制造半导体器件的方法以及制备III族元素氮化物晶体的装置
机译: 制备III族元素氮化物晶体,III族元素氮化物晶体,半导体器件的方法,生产半导体器件的方法和III族元素氮化物晶体生产装置