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机译:高质量溅射Ⅲ族氮化物半导体和器件的出现
Virginia Commonwealth Univ Dept Elect & Comp Engn Richmond VA 23284 USA;
Univ Tokyo Inst Ind Sci Meguro Ku Tokyo 1538505 Japan|Japan Sci & Technol Agcy JST ACCEL Chiyoda Ku Tokyo 1020075 Japan;
sputtering; III-nitrides; GaN; AlN; InGaN; light emitting diodes; field-effect transistors;
机译:具有部分底部-富含硅的氮化物结构的氧化硅-氮化物-氧化物-硅-非易失性半导体存储器件的耐久性和数据保留性能的提高
机译:光电子器件注入Ⅲ族氮化物半导体的损伤形成和退火研究
机译:扩展缺陷对氮化物半导体中光电器件性能的作用
机译:基于梯度间隙半导体氮化物和氮化硼太赫兹范围的转移电子器件的数值模拟
机译:通过PAMBE生长氮化镓基氮化物半导体,以开发光电和微电子器件。
机译:氮化镓基金属氧化物半导体器件的表面制备和沉积的栅极氧化物
机译:用于光电子材料和器件研究的III-锑化物/氮化物基半导体:LDRD 26518最终报告。
机译:2011财年董事的战略计划最终报告采用氮化物半导体的异构器件架构,增强了光电器件的功能。