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Ⅲ族氮化物半导体电子器件、制作Ⅲ族氮化物半导体电子器件的方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延片

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摘要

提供具有能减少漏电流的结构的III族氮化物半导体电子器件。层叠体(11)包括衬底(13)及III族氮化物半导体外延膜(15)。衬底(13)由具有超过1×10

公开/公告号CN102187433A

专利类型发明专利
公开/公告日2011-09-14

原文格式PDF
申请/专利权人住友电气工业株式会社;
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申请/专利号CN200980141759.9
发明设计人盐见弘;住吉和英;斋藤雄;木山诚;
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申请日2009-10-20
分类号H01L21/205;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/20;H01L29/47;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/872;
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人谢丽娜
地址日本大阪府
入库时间 2023-12-18 03:17:32

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-11-18

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/205 申请公布日:20110914 申请日:20091020

发明专利申请公布后的视为撤回
2011-11-02

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/205 申请日:20091020

实质审查的生效
2011-09-14

公开

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