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形成无蚀刻停止层的双镶嵌结构的方法

摘要

一种形成双镶嵌的方法,包括:依序形成第一、第二与第三材料层在基板上,所述第一、第二与第三材料层分别具有第一、第二与第三厚度;蚀刻一个开口至所述第一材料层中,所述蚀刻步骤移除所述第三材料层的部分或全部厚度,且所述开口的深度与所述第三材料层被移除的厚度之比等于在所述蚀刻步骤中所述第一材料层与所述第三材料层的蚀刻选择比。上述形成双镶嵌方法中的蚀刻操作可自动停止以产生具有预定深度的开口。

著录项

  • 公开/公告号CN100570852C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-12-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;

    申请/专利号CN200710091659.2

  • 发明设计人 林志翰;陈昆医;

    申请日2007-04-03

  • 分类号

  • 代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭晓东

  • 地址 中国台湾新竹市

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-12-16

    授权

    授权

  • 2007-12-05

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2007-10-10

    公开

    公开

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