公开/公告号CN100570852C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-12-16
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN200710091659.2
申请日2007-04-03
分类号
代理机构隆天国际知识产权代理有限公司;
代理人郭晓东
地址 中国台湾新竹市
入库时间 2022-08-23 09:03:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2009-12-16
授权
授权
2007-12-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-10-10
公开
公开
机译: 具有双镶嵌结构的半导体元件形成在介电层结构中,该介电层结构包括具有第一结构的上层,蚀刻停止层和具有第二结构的下层
机译: 插槽通孔填充的双镶嵌互连结构,无中间蚀刻停止层
机译: 不具有蚀刻停止层的双镶嵌图案导体层形成方法