一种生长半绝缘掺铁InP外延层的方法

摘要

一种生长半绝缘掺铁InP外延层的方法，包括：获取第一测试结构至第M测试结构中任意一个第m测试结构的电阻；根据第k测试结构和第k‑1测试结构的电阻获取第k‑1掺铁InP测试层的电阻；获取第一掺铁InP测试层至第M‑1掺铁InP测试层中任意第k‑1掺铁InP测试层的电阻rk‑1与Fe源的流量之间的第一函数关系；获取第一函数关系中对应第一掺铁InP测试层至第M‑1掺铁InP测试层的电阻的峰值区域作为第一特征电阻；获取第一特征电阻在第一函数关系中对应的Fe源的流量范围的平均值作为第一特征Fe源流量；生长第一掺铁InP外延层。能使掺铁InP外延层中Fe的浓度稳定性提高。