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半导体器件、切割半导体器件的切割设备及其切割方法

摘要

提供一种用于切割半导体器件的方法。该器件包括第一半导体层、绝缘层和第二半导体层。该方法包括如下步骤:在第一半导体层中形成半导体元件;将激光束照射在第一半导体层的表面上;和使用激光束将所述器件切割成半导体芯片。激光束在界面处反射,从而产生第一反射光束,并且所述激光束另一界面处反射,从而产生第二反射光束。绝缘膜具有一厚度,该厚度确定为使第一和第二反射光束彼此消弱。

著录项

  • 公开/公告号CN100562977C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2009-11-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 株式会社电装;

    申请/专利号CN200410084958.X

  • 发明设计人 大川诚;

    申请日2004-10-08

  • 分类号H01L21/301(20060101);B23K26/00(20060101);B28D5/00(20060101);B23K101/40(20060101);

  • 代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;

  • 代理人韩宏

  • 地址 日本爱知

  • 入库时间 2022-08-23 09:03:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2009-11-25

    授权

    授权

  • 2005-06-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-04-06

    公开

    公开

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