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SOI平台上的量子限制斯塔克效应电吸收调制器

摘要

电吸收调制器。调制器包括SOI波导;有源区,所述有源区包括多量子阱(MQW)区;以及耦合器,用于将SOI波导耦合到有源区。耦合器包括:过渡波导耦合区;缓冲波导耦合区;以及锥形区;其中,过渡波导耦合区耦合SOI波导与缓冲波导耦合区之间的光;以及缓冲波导耦合区经由锥形区耦合过渡波导区与有源区之间的光。

著录项

  • 公开/公告号CN109791314B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2022.08.30

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 洛克利光子有限公司;

    申请/专利号CN201780042308.4

  • 发明设计人 余国民;

    申请日2017.07.07

  • 分类号G02F1/017(2006.01);

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司 72001;中国专利代理(香港)有限公司 72001;

  • 代理人俞华梁;闫小龙

  • 地址 英国伦敦

  • 入库时间 2022-09-26 23:16:47

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