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单个晶体管DRAM单元结构及其形成方法

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单个晶体管DRAM单元(10)形成在SOI衬底(12、14)中，以便DRAM单元形成在相互电隔离的体区中。每个单元(10)具有用作源和漏接触的掺杂区(36，42)。在漏接触(42)和体区(16)之间是有助于碰撞电离并由此在编程期间形成电子/空穴、并且是与体区(16)相同的导电类型而比体区(16)高浓度的区域(40)。邻近源接触(36)和邻近体区(16)的是在擦除期间有助于二极管电流并与源接触(36)相同导电类型而比源接触(36)低浓度的区域(38)。

著录项

公开/公告号CN100546044C

专利类型发明授权
公开/公告日2009-09-30

原文格式PDF
申请/专利权人飞思卡尔半导体公司;
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申请/专利号CN03824916.2
发明设计人詹姆士·D·比尔内特;
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申请日2003-08-28
分类号H01L29/10(20060101);H01L29/786(20060101);
代理机构11219 中原信达知识产权代理有限责任公司;
代理人樊卫民;钟强
地址美国得克萨斯
入库时间 2022-08-23 09:03:03

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-08-16

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/10 授权公告日:20090930 终止日期:20180828 申请日:20030828

专利权的终止
2017-02-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/10 登记生效日:20170110 变更前: 变更后: 申请日:20030828

专利申请权、专利权的转移
2017-02-01

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/10 登记生效日:20170110 变更前: 变更后: 申请日:20030828

专利申请权、专利权的转移
2009-09-30

授权

授权
2009-09-30

授权

授权
2006-01-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2006-01-04

实质审查的生效

实质审查的生效
2005-11-09

公开

公开
2005-11-09

公开

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