24关状态偏压温度应力下带—缺陷隧道引起的高密度DRAM单元晶体管结漏电流的可靠性退化

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• 来源
  《电子产品可靠性与环境试验》|2002年第6期|62-62|共1页
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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 存贮器;
• 关键词

  DRAM; 漏电流; 存储器; 可靠性退化;