一种硅基上高深宽比微纳通孔的填充方法

摘要

本发明涉及一种硅基上高深宽比微纳通孔的填充方法，属于填充方法技术领域。解决了现有的填充方法无法填充硅基上高深宽比微纳通孔的问题。本发明的填充方法，先将硅片进行热氧化处理，形成二氧化硅绝缘层；然后在硅片的下表面先沉积第一钛层再沉积第一铜种子层；然后将硅片置于电镀装置中，开始电镀，直至铜生长到距离通孔顶端小于50μm时，停止电镀，取出硅片；再在硅片的上表面先沉积第二钛层再沉积第二铜种子层；最后将硅片置于电镀装置中，开始电镀，当硅片的通孔被铜全部填充后，停止电镀，取出，清洗，干燥，完成填充。该填充方法可以实现硅基上高深宽比微纳通孔的电镀填充，深宽比可达40以上，通孔直径可达50μm以下。