一种不同维度的芯片互连结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种不同维度的芯片互连结构及其制备方法，包括：芯片；基板；纳米金属互连区域，所述纳米金属互连区域包括第一区域和第二区域，所述第一区域包括高度不等的纳米金属线和/或第一纳米金属颗粒；所述第二区域包括纳米金属膏，所述纳米金属膏包括第二纳米金属颗粒和纳米金属棒混合，所述第二区域的由所述第一区域的高度不等的纳米金属线和第一纳米金属颗粒以及所述第二区域的纳米金属膏限定出沟道。本发明所述芯片互连结构利用纳米金属膏分区域设置，可以有效增大溶剂挥发，有效避免因芯片尺寸过大而导致的溶剂难以挥发，通过这种多维度混合的纳米铜粉制备得到的纳米铜膏，具有较小的孔隙率，提高了烧结层的导电、导热等性能。