公开/公告号CN100483744C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-04-29
原文格式PDF
申请/专利权人 南京大学;
申请/专利号CN200710021060.1
申请日2007-03-23
分类号H01L29/788(20060101);H01L29/423(20060101);H01L29/49(20060101);H01L27/115(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L21/8247(20060101);
代理机构32112 南京天翼专利代理有限责任公司;
代理人汤志武;王鹏翔
地址 210093 江苏省南京市汉口路22号
入库时间 2022-08-23 09:02:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-05-14
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/788 授权公告日:20090429 终止日期:20130323 申请日:20070323
专利权的终止
2009-04-29
授权
授权
2007-10-24
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-08-29
公开
公开
机译: 硅纳米晶体的制造方法,硅纳米晶体,浮栅型存储电容器结构的制造方法以及浮栅型存储电容器结构
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