短沟道沟槽功率MOSFET

摘要

本发明的一个目的是提供一种功率半导体装置，其具有低接通状态电阻，同时避免任何短沟道效应并且具有低阈值下斜率。为了达到这个目的，本发明提供一种沟槽功率半导体装置，其包括第一导电类型的补偿层(15)，其中补偿层(15)与第二导电类型的沟道区直接相邻地在第一导电类型的源极层(5)与第一导电类型的衬底层(9)之间在栅极绝缘层(11)上延伸，并且其中：。在以上不等式中，Lch是沟道长度，εCR是沟道区的电容率，εGI是栅极绝缘层的电容率，tCOMP是补偿层(15)的厚度，以及tGI是栅极绝缘层(11)的厚度。