机译:具有SiGe沟道区的沟槽栅功率MOSFET的形成
Natl Taiwan Univ Sci & Technol, Dept Elect Engn, Taipei 106, Taiwan;
机译:利用双掺杂体区制造沟槽栅功率MOSFET
机译:比较具有a平面(11(2)-bar0)和m平面(1(1)-bar00)侧壁沟道的GaN沟槽栅MOSFET的电性能
机译:新型应变硅沟道沟道栅功率MOSFET:设计与分析
机译:通过低频噪声测量了解p沟道沟槽栅功率MOSFET中的负偏置温度应力
机译:4H-SIC沟槽MOSFET:实用的表面沟道迁移率提取
机译:拟议的双边沿触发静态D型触发器中的MOSFET沟道宽度和电源电压的多目标优化采用模糊非支配排序遗传算法II
机译:一种新型应变硅沟道沟槽栅极功率mOsFET:设计与实现 分析