沟槽栅低压功率MOSFET的发展（下）——减小优值FoM

摘要

近年来，采用各种不同沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高。本文分上、下两篇综述了这方面的新发展。上篇重点阐述了降低漏源通态电阻R DS（on)?B7矫娴募际醴⒄梗幌缕氐悴隽私档陀胖礔oM方面的技术发展。