一种GaAs基LED晶片GaP粗糙表面的制作方法

摘要

本发明公开了一种GaAs基LED晶片GaP粗糙表面的制作方法，首先进行晶片外延层的制备，随即在外延层的GaP窗口层上进行粗化腐蚀，利用表面活性剂将光刻胶、粗化腐蚀液溶解在一起，形成具有粗化腐蚀效果的腐蚀溶胶，再将腐蚀溶胶涂覆在GaP窗口层表面，在40‑60℃温度下恒温烘烤，再利用丙酮等溶剂去除腐蚀膜层和二氧化硅层，继续制备得到独立管芯；本发明设计的工艺方法简单易操作，不需要引入特殊设备，利用较低的成本，外延层表面的粗化腐蚀更加均匀，腐蚀可控性较高，粗化效果好，解决了目前使用溶液进行粗化腐蚀较难控制且粗化亮度提升不高的难题，通过本发明提供的方法进行粗化制作，出光效率可以提升25‑30％，具有较高的实用性。